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2018年1月10日

MicronとIntelがNAND型フラッシュメモリの共同開発プログラムを更新

 米Micron Technology社とIntel社は2018年1月8日、両社が進めているNAND型フラッシュメモリの共同開発プログラムを更新したことを発表した。これにより第3世代の3D NAND型フラッシュメモリを完成し、2018年末までに出荷を開始、さらに提携期間を2019年初めまで延長する。両社は、第2世代となる64層の3D NAND技術による製品の立ち上げを進めている。なお、第4世代以降の3D NAND型フラッシュメモリについては、各社が自社の事業に最適化を図るため、相互に独立して開発を進めることになっている。
 また、両社は次世代メモリである3D Xpointの共同開発、合弁企業である Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) では3D XPointメモリ製造に専門化している。

URL=http://investors.micron.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=1053616







 

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