.

半導体・FPD業界の出版社 デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向

2017年12月21日

ルネサス、最先端ロジックプロセスに混載可能な大容量フラッシュメモリ技術を開発

 ルネサス エレクトロニクスは2017年12月6日、このたび、回路線幅が16/14nm世代以降のフラッシュメモリ内蔵マイコン向けに100Mバイト超の大容量フラッシュメモリの実現を可能にするフィン構造の立体トランジスタを採用したSG-MONOSフラッシュメモリの大規模動作に成功した。
 SG-MONOSフラッシュメモリは、メモリ保持をシリコン基板面に形成した薄いトラップ膜で行うため、三次元立体構造であるフィン構造への展開が比較的容易であり、同じくフィン構造を有する16/14nmのロジックプロセスとの親和性が高いことが特長となっている。また、電荷トラップ型MONOSフラッシュメモリの特長である優れた電荷保持特性はフィン構造でも損なわれず、従来と同等の信頼性を維持することを確認済みである。このフィン構造SG-MONOSフラッシュメモリセルを、16/14nm世代以降のマイコンに内蔵する際には、メモリの大容量化に伴う特性のばらつきが大きな課題となっていたが、今回、ルネサスは、大規模メモリでも動作の検証に成功し、100Mバイト超のフラッシュメモリを混載する高性能・高信頼マイコンの実現に向けて大きく前進した。
 同社は、2016年にき込み電圧を低い電圧から段階的に上昇させるステップパルス書き込み方式(ISSP: Incremental Step Pulse Programing)が、フィン先端部の電界集中によるデバイス特性の劣化に対し有効であることを報告しているが、今回、この方式をアレイ動作に取り込み最適化を進めることで、高速書き込みと信頼性の両立を図った。その結果、従来のプレーナ構造よりも高速な書き込み/消去を実現すると共に、データ保存用フラッシュメモリで従来通りの25万回の書き換えを行った後も、書き込み/消去速度にほとんど影響がない結果を得ることができた。
 また、書き換え動作後に160℃で10年以上の保持時間を維持、従来と同等であることを確認した。また、フィン構造の特長である急峻なしきい値電圧分布は、160℃の高温下でデータを保持した後もアレイレベルで維持されており、従来の高信頼性を維持したまま、大容量化することが可能であることが確認されている。

URL=https://www.renesas.com/ja-jp/about/press-center/news/2017/news20171206.html







 

EDリサーチ
お問い合わせ・ご質問は webmaster@edresearch.co.jp
(c) 2001 ED RESEARCH Co., Ltd. All rights reserved.

デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向