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2017年10月17日

東京エレとSTT、次世代MRAM開発で協業

 米Spin Transfer Technologies(STT)社と東京エレクトロンは2017年10月16日、SRAMおよびDRAMを代替する次世代MRAMデバイスの実現に向けた協業契約を結んだことを発表した。
 STTのスピン注入MRAM(ST-MRAM)技術と、東京エレクトロンのMRAM向け先端PVD成膜装置を組み合わせることにより、高性能デバイスを短期間で開発することが可能となる。この協業において、STTは垂直磁気トンネル接合(pMTJ)を含むデバイス製造技術を提供し、東京エレクトロンは業界トップクラスのST-MRAM成膜装置と磁性薄膜の成膜に関する独自の知識を投入する。
 これによりSTTと東京エレクトロンは、既存のST-MRAMソリューションよりもはるかに高密度なソリューションの実証実験を行うとともに、SRAMを置換できるよう問題点の克服を進める。これらの30nm以下のpMTJデバイスは既存製品よりも40〜50%小さく、先端ロジックICへの利用が有望視されるほか、DRAM代替のST-MRAMデバイス製造への大きな一歩となることが期待される。
 STTは、特許の磁気テクノロジと回路およびメモリ・アーキテクチャを独自に組み合わせ、業界トップクラスの低コストと高性能を備えたスピン注入MRAM(ST-MRAM)の開発を進めている。STTの画期的なST-MRAMソリューションは、組み込み型のSRAMはもちろん、将来のDRAMデバイスをも置き換えると期待されている。

URL=http://www.tel.co.jp/news/2017/1016_001.htm







 

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