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2017年10月4日

住友金属鉱山、SiC基板開発会社と合弁契約を締結

 住友金属鉱山株式会社と加賀電子は、住友金属鉱山が加賀電子の子会社である株式会社サイコックスの株式の51%を取得することで合意し、2017年10月2日付けで株式譲渡契約および合弁契約を締結したことを発表した。なお、株式譲渡の実行および合弁の開始は 2017年10月30日を予定している。
 サイコックスは、接合技術を応用したSiC基板の製造技術を保有する開発会社であり、同社の接合技術は、SiCの課題である基板コストを大幅に低減するもの。住友金属鉱山と加賀電子は、サイコックスのSiC基板製造技術に住友金属鉱山の基板生産技術を融合させることによりSiC基板の量産検証を促進し、加賀電子のエレクトロニクス分野における情報収集力と販売網の活用により、速やかに市場のニーズに応えていく。
 接合技術を応用したSiC基板とは、SiC多結晶基板上にSiC単結晶基板を薄く接合することで構成された基板。多結晶基板を支持基板とすることで高価な単結晶基板の使用量を減らし、大幅な低コスト化が可能となる。同基板を用いて作製された半導体デバイスは、単結晶単体で構成されたSiC基板と同様の製造プロセスを用い、同等のデバイス特性が得られます。

URL=http://www.smm.co.jp/news/release/2017/10/post-1405.html







 

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