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2017年10月4日

三菱電機、高出力と低ひずみ特性の衛星通信地球局用Ka帯GaN HEMT MMIC開発

 三菱電機は2017年10月4日、Ka帯 衛星通信地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップレベルの出力電力8Wと電力増幅信号の低ひずみ特性を実現した衛星通信地球局用Ka帯GaN HEMT MMIC「MGFG5H3001」を11月1日に発売することを発表した。価格は9万円。
 高出力化に優れたGaNデバイスの採用とトランジスタ構造の最適化により、業界トップレベルの出力電力8Wを実現している。GaNデバイスの1チップ上に複数の増幅用トランジスタ・整合回路・リニアライザを搭載している。従来外付けしていたリニアライザを内蔵することにより、業界トップレベルとなる電力増幅信号の低ひずみ特性を実現電力増幅器の最終段の部品合成数を削減し、衛星通信地球局の小型化に貢献している。 さらにKu帯(12GHz〜18GHzのマイクロ波)に加えKa帯製品のラインアップで、衛星通信地球局の多様な周波数のニーズに対応している。

URL=http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/1004.html







 

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