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2017年9月29日

ST、600V耐圧スーパー・ジャンクションMOSFET内蔵パワー・モジュールを発表

スイスSTMicroelectronics社は2017年9月14日、新しいインテリジェント・パワー・モジュール(IPM)「SLLIMM-nano」を発表した。このIPMには、新しいパッケージ・オプションと内蔵コンポーネントが追加されており、非常に低い電力から最大300Wまでのモータ・ドライブの迅速な開発と組立の簡略化を実現する。
 この3Aと5Aのモジュールには、最先端のスーパー・ジャンクション(SJ)型600V耐圧パワーMOSFETが搭載され、コンプレッサ、ファン、ポンプなどのアプリケーションにおいて電力効率を最大化する。パッケージはインライン型とジグザグ型リードから選択でき、省スペース化と共に必要な端子間の絶縁距離を確保することが可能となっている。オプションの内蔵スロットにより、ヒートシンクを低コストかつ簡単に取り付けできるほか、別々に用意されたオープン・エミッタ出力端子によって1シャントまたは3シャントの電流検出に用いる基板配線を簡略化している。
 このIPMには、6個のパワーMOSFETで構成される三相ハーフ・ブリッジと、高電圧ICによるゲート・ドライバが内蔵されています。追加された、電流検知用の未使用のオペアンプ、障害保護用の高速コンパレータ、オプションの温度監視用NTCサーミスタにより、保護および故障防止回路の構成を簡略化する。ブートストラップ・ダイオードの内蔵によって部品点数が削減でき、シンプルな基板レイアウトが実現できます。 スマート・シャットダウン回路はスイッチング素子を保護し、低電圧ロックアウト(UVLO)によって低Vcc電圧や低Vboot電圧による誤動作を防止する。
 このSJ型パワーMOSFETは、低オン抵抗(最大1.0Ωまたは1.6Ω:25℃動作時)かつ静電容量とゲート電荷も低減されており、導通損失とスイッチング損失との両方を最小化する。これにより、さまざまな産業用ドライブで使用されるハードスイッチング回路(最大動作周波数20kHz)の効率を向上させると共に、低消費電力アプリケーションをヒートシンクを使用せずに動作させることができる。また、スイッチング時のdi/dtおよびdV/dtが最適化されており、低EMIを実現することが可能になっています。そのため、回路設計とレイアウトのさらなる簡略化が可能となっている。
 この新しいモジュールは、最大接合部動作温度範囲が150℃で動作する。また、UL 1557の認証を取得しており、1500Vrms/minまでの絶縁耐圧を保証している。
 STの新しいSLLIMM-nanoは現在量産中。定格電流が3AのSTIPQ3M60T-HL(インライン・パッケージ)およびSTIPQ3M60T-HZ(ジグザグ型リード)の単価は約6.40米ドル。

URL=http://www.st.com/content/st_com/en/about/media-center/press-item.html/n3974.html










 

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