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2017年9月29日

中国の半導体メモリプロジェクトは順調

 中国のICメモリ事業育成プロジェクトの第1期となる「長江存儲科技(Yangtze River Storage Technology)」(以下、長江ストレージ)の趙偉国社長(清華紫光グループ会長)は2017年9月28日、同社の最先端メモリ工場と発電所など関連施設の建設状況を発表した。同プロジェクトは中国・清華紫光グループを中核として、中国政府のIC産業育成向け投資ファンド、湖北省政府のIC産業育成向け投資ファンド、湖北科投共同投資ファンドなどの共同出資において進められているもの。
 長江ストレージは、清華紫光グループが武漢新芯集成電路製造(XMC)を買収して設立した中国最大の半導体企業。  同プロジェクトは総額240億米ドルを投資、3D NAND型フラッシュメモリ工場を3工場を建設する計画である。独立したクリーンルームを持つ3つの工場を建設、1万m2あたり3万米ドルの投資を計画している。第1期工場(関連設備含む)の建築規模は52万4000m2で、2018年から稼働を開始、月産30万枚(300mmウェーハ)で、年産100億米ドル超を予想している。
 また、同省東湖高新区には、同プロジェクトを支援する1100エーカーのプロジェクトを計画しており、企業や国際的なトップの才能を支える紹介チェーンを加速することです国立先端メモリ産業イノベーションセンタ、メモリチップアライアンス、国家IP取引センターなどの設立も計画している。

URL=http://www.xmcwh.com/news_detail/newsId=96.html










 

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