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2017年9月22日

三菱電機、電力損失が世界最小レベルのSiCパワー半導体素子を開発

 三菱電機は2017年9月22日、パワー半導体モジュールに搭載されるパワー半導体素子として、電流を高速に遮断する保護回路無しで使える、電力損失が世界最小レベルのSiCパワー半導体素子を開発したことを発表した。同製品は様々な耐圧のSiC-MOSFETに適用できるほか、Siパワー半導体ですでに確立されている短絡保護回路技術を併用することにより、短絡時の安全な保護動作を実現可能としている。
 本開発については、「ICSCRM 2017(The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials)」(於:アメリカ Washington, D.C.、9月17日から開催) にて9月21日に発表した。
 新製品は、独自構造により、高信頼性と省エネを両立させている。通常、単一構造で構成するソース領域にソース抵抗制御領域を形成することにより、搭載機器の短絡発生時の電流を低減し、短絡許容時間を延ばして素子破壊を抑制(図1)することに成功している。
 また、従来構造のSiC-MOSFETに対し、同一短絡許容時間において、室温における素子のオン抵抗を40%低減し、20%以上電力の低損失化を実現している(図2)。  今後、素子の信頼性とモジュールとしての評価を進め、2020年度以降の実用化を目指している。

URL=http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/0922.html


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