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2017年9月21日

KLA-Tencor、サブ7nmIC向けに新製品を投入

 米KLA-Tencor社は2017年9月11日、パターニング制御システム5製品を発表した。これらのシステムは、半導体メーカが、7nm以下(サブ7nm)のロジックや最先端の設計ノードのメモリにおいて、マルチパターニング技術やEUVリソグラフィに必要とされる、厳密なプロセス許容誤差の達成を支援するものとなっている。今回発表したのは、「ATL」オーバーレイ計測システム、「SpectraFilm F1」膜計測システム、「Teron 640e」レチクル検査製品、「LMS IPRO7」レチクルレジストレーション計測システム、データ解析システム「5D AnalyzerR X1」。これら5つの新しいシステムは、同社の、計測、検査、データ解析システムの幅広いポートフォリオを拡充し、プロセス変動を起こす要因を特定し補正することを可能にする。
 5製品の概要は以下のようなものとなる。
(1)ATLオーバーレイ計測システム
 同システムは、1nmの解像度を持つ独自の波長可変レーザー技術を利用して、プロセス変動の存在下でも高精度でロバストなオーバーレイ計測を可能とし、デバイスの素早い立ち上げと正確なウェーハの合否判定をサポートする。
(2)SpectraFilm F1膜計測システム
 S同システムは、単層膜・多層膜の膜厚と均一性を高精度で測定する新しい光学技術を採用、成膜プロセスをモニターし、バンドギャップデータを取得する。それにより、電気特性試験の前にデバイスの電気的性能を予測することができる。
(3)Teron 640eレチクル検査システム
 同システムは、光学系、検出素子、およびアルゴリズムを強化し、高いスループットで重要なパターンの欠陥やパーティクルを検出し、最先端のマスクショップにおいてEUVレチクルおよび光学パターンレチクルの開発と信頼性保証を推進する。
(4)LMS IPRO7レチクルレジストレーション計測システム
 同システムは、新しい動作モードを活用し、レチクル上のデバイスパターンの配置誤差を短いサイクル時間で正確に測定することで、電子線マスクライターの修正のための総合的なレチクルの品質検査と、ICファブでのレチクル起因のオーバーレイ誤差の低減を可能にする。
(5)5D Analyzer X1データ解析システム
 同システムは、拡張可能なオープンアーキテクチャを提供し、広範囲の計測装置とプロセス装置からのデータを受け入れて、ファブ全体にわたるプロセス変動の高度な解析、特徴の抽出、およびリアルタイムの制御を可能にする。
 今回発表した5製品は、同社独自の5D Patterning Control Solutionの構成部分となる。同ソリューションには、パターン形成後のウェーハのジオメトリ測定、in-situプロセス測定、CDおよびデバイスプロファイル計測、リソグラフィーおよびパターニングのシミュレーション、ならびに重要なホットスポットの検出のためのシステムも含まれている。ATL、SpectraFilm F1、および5D Analyzer X1システムはすでに世界中の最先端のICメーカで使用されている、各種のパターニング制御アプリケーションをサポートしている。Teron 640eとLMS IPRO7は、アップグレードと新規の追加によって、最先端のマスクショップで同社のレチクル検査と計測システムの導入実績を伸ばしている。

URL=http://ir.kla-tencor.com/news-releases/news-release-details/kla-tencor-introduces-five-patterning-control-systems-sub-7nm-ic







 

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