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2017年9月21日

東芝、SiC-MOSFETの抵抗を低減するゲート絶縁膜プロセス技術を開発

 東芝は2017年9月19日、SiC-MOSFET向けに、新しいゲート絶縁膜プロセス技術を開発したことを発表した。同技術を適用することで、デバイス内部の電流経路の一部であるチャネル領域の抵抗を約40%低減でき、素子全体の抵抗を最大で20%低減できると見込めるため、デバイス使用時の電力損失の低減が期待できる。
 今回開発したのは、チャネル領域を形成するゲート絶縁膜プロセスとして、一般的なNO、N2Oガスではなく、取り扱いが容易なN2ガスを使用する新しいプロセス技術。ゲート絶縁膜の母材となるSiO2をN2ガスでアニールする直前に、900℃未満の低いプロセス温度で酸素雰囲気に暴露するなどの同社独自の処理を施すことで、反応性に乏しいN2ガスであっても窒化反応が十分に進み、抵抗が増大する要因となっていたチャネル領域周辺の欠陥が修復される。
 また、同技術を適用すると、一般的なNOガスの場合と比較して、ゲート絶縁膜の信頼性を損なうことなく、チャネル領域の抵抗が約40%低減することも確認している。これにより素子全体の抵抗が最大で20%低減することが見込めるため、SiC-MOSFETの電力損失のさらなる低減が可能となる。

URL=http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1709_01.htm


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