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2017年9月14日

昭和電工、パワー半導体用高品質SiCエピウェーハの生産能力増強

 昭和電工は2017年9月14日、パワー半導体の材料であるSiCエピタキシャルウェーハの高品質グレードエピウェーハ「ハイグレードエピ(HGE)」の生産能力増強を決定した。2018年4月から稼働開始し、月産能力は現在の3000枚から5000枚に拡大する。
 高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBDとMOSFETが搭載されているが、現状はSiC-SBDの量産化が先行し、SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっていた。当社が開発したHGEは、代表的な結晶欠陥である基底面転位を0.1個/cm2以下に抑えたエピウェーハ。2015年10月の販売開始以降、国内外のデバイスメーカーから高い評価を受け、SiC-SBD用途に加え、SiC-MOSFETの実用化に向けた採用も進んでいる。HGEの生産体制は現在フル稼働が続いており、来年以降SiC−MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから、今回の能力増強を決定した。

URL=http://www.sdk.co.jp/news/2017/16064.html







 

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