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2017年8月30日

Samsung、中国のNAND型フラッシュメモリ生産増強に3年間で70億米ドル増強

 Samsung Electronics社は2017年8月25日、中国・西安工場でのNAND型フラッシュメモリの生産能力増強に、今後3年間で70億米ドルを投資するという計画を明らかにした。このうち、2017年度には23億米ドルを承認していることを、2017年度第2四半期の決算報告書で明らかにしている。西安工場は2014年5月に稼働を開始、3D V-NANDフラッシュメモリを製造している。
 なお、7月初めには韓国の平沢(Pyeongtaek)工場の稼働を開始、第4世代の64層構造のV-NANDフラッシュメモリを製造している。

URL=http://www.samsung.com/global/ir/reports-disclosures/business-report/







 

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