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2017年8月22日

Qorvo、通信インフラ向けに電力効率の高い新型GaN-on-SiCアンプを発表

 米Qorvo社は2017年8月10日、携帯電話の基地局機器の設計に必要となる超ハイレベルなパワー効率を実現する非同期ドハティ(Doherty)アンプ「QPD2731」を発表した。同製品はGaN-on-SiC HEMTを採用しており、2つのHEMTを1パッケージに実装したもので、リニアリティ、効率、利得を最大化、運用コストを大幅に低減することが可能となる。
 動作範囲は2.5〜2.7GHz。ピーク出力は55.0dBm(316W)、ドハティ・ドレイン効率は60.0% (47.5 dBm)、ドハティ利得16.0dB。4リード/セラミックフランジのNI780パッケージで提供される。

URL=http://www.qorvo.com/newsroom/news/2017/qorvo-lowers-telecom-infrastructure-costs-with-new-power-efficient-gan-on-sic-amplifier







 

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