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2017年8月8日

新日鐵住金住金がSiCウェーハ事業から撤退、昭和電工に譲渡

 新日鐵住金は2017年8月8日、これまで技術開発本部 先端技術研究所で実施してきたパワー半導体素子用の昇華再結晶法による150oSiC単結晶ウェーハの研究開発、および100%子会社である新日鉄住金マテリアルズで実施してきました100o SiCウェーハに関する事業開発を、2018年1月末をメドに終了することを決定したことを発表した。
 なお同技術は、実用化は各分野での省エネルギーに大きく貢献し得るものであることから、新日鉄住金グループが保有する関連資産等を昭和電工へ譲渡することも決定した。昭和電工は、SiCウェーハなどの周辺技術を保有し、既にSiCエピタキシャルウェーハの製造・販売を行っている。
 新日鉄住金は、製鉄事業で培った技術を活用して、2007年には100mmSiCウェーハの開発に成功、これを受け新日鉄住金マテリアルズが実用的な製造技術・品質の確立に向けた事業開発を開始、ユーザーへSiCウェハを提供してきた。
 しかし、SiCウェーハを使用したパワー半導体の本格的な市場形成には未だ時間を要することから、事業の選択と集中の一環として、新日鉄住金グループではSiCウェーハに関する研究開発・事業開発を終了する事とした。
 一方、昭和電工は2005年からSiCエピタキシャルウェーハの技術開発に取り組み、現在、月産3000枚の製造・販売を行っている。今回、新日鉄住金グループの保有する関連資産を取得することで、本製品のさらなる品質向上を目指す。

URL=http://www.nssmc.com/news/20170807_100.html







 

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