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2017年7月25日

Samsung、バンド幅256GBpsの高速メモリモジュールの量産開始

 韓国Samsung Electronics社は2017年7月18日、バンド幅が256ギガバイト(GB)/秒(GBps)の8GB容量のHigh Bandwidth Memory-2 (HBM2) DRAM高速メモリモジュールの量産を開始したことを発表した。AI、HPC (high-performance computing)、高精細グラフィクス、ネットワーク、サーバなどへの応用が期待されている。
 同モジュールは8つの8ギガビット(Gb)HBM2 DRAMとバッファ・ダイを積層、TSVとマイクロバンプ技術で垂直配線を構成している。TSVはダイあたり5000、パッケージ全体では4万に達する。 同社では2018年上期にHBM2製品の50%を8GB HBM2が占めるとの見通しを進めている。

URL=https://news.samsung.com/global/samsung-increases-production-of-industrys-fastest-dram-8gb-hbm2-to-address-rapidly-growing-market-demand








 

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