.

半導体・FPD業界の出版社 デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向

2017年7月12日

ASMI、高生産性エピタキシャル成長装置を発表

 米ASM Internationl(ASMI)社は2017年7月10日、300mmウェーハ対応新型エピタキシャル成長装置「Intrepid ES」を発表した。同装置は、同社が開発した革新的なクローズド・ループ・タイプの反応炉制御技術を導入、プロセス温度の再現性を高め、ウェーハ内、ウェーハ間で膜の均一性などのプロセスのばらつきを抑え、最適な品質を実現できるようにしている。さらに、7nmレベルで要求されるウェーハあたりのエピテキシャル・プロセスのコストを削減することができるようになっている。また、クリーニング・サイクルの前に複数のウェーハ処理が可能であり、処理量を向上させることが可能となっている。さらに、炉内のクリーニングに使用する薬品・ガスの使用量を削減することが可能となっており、製造コストの引き下げることができるようになっている。

URL=http://www.asm.com/Pages/Press-releases/ASM-INTERNATIONAL-NV-LAUNCHES-INTREPID--ES-TM--EPITAXY-TOOL-FOR-ADVANCED-NODE-HIGH-VOLUME-SEMICONDUCTOR-MANUFACTURING.aspx?Overview=http://www.asm.com:80/Pages/home.aspx









 

EDリサーチ
お問い合わせ・ご質問は webmaster@edresearch.co.jp
(c) 2001 ED RESEARCH Co., Ltd. All rights reserved.

デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向