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2017年7月12日

東芝、TSV技術を適用した3Dフラッシュメモリを開発

 東芝は2017年7月11日、TSV(Through Silicon Via)技術を用いた3ビット/セル(TLC)の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を試作し、2017年6月から開発用に試作品の提供を開始したことを発表した。今回試作したのは、容量512ギガバイト(GB)、1テラバイト(TB)の2製品。製品のサンプル出荷は2017年中を予定。今回の試作品は8月7日から10日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で参考展示する。
 今回、TSV技術を48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリに適用することで、書き込みバンド幅と低消費電力性能の向上に成功し、電力効率がワイヤボンディングを用いた製品との比較で約2倍に向上させている。また、512Gbのチップをひとつのパッケージ内に16段積層することにより総容量TBの大容量化を実現した(512GB品は8段積層となっている)。
 パッケージはBGA-152。サイズは512GB品が18×14mm、高さが1.35mm、1GB品が18×14mm、高さが1.8mm。インターフェース最大速度は1066Mbps。
 同社では、今後TSV技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の製品化を目指し、アクセス遅延時間の低減、データ転送速度の高速化、単位消費電力あたりの高いIOPSが必要なエンタープライズSSD、フラッシュストレージなどのアプリケーションに大きく貢献することを目指す。

URL=https://www.toshiba-memory.co.jp/company/news/20170711-1.html


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