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2017年6月28日

東芝、QLC技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を開発

 東芝/東芝メモリは2017年6月28日、4ビット/セル(QLC)技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を試作し、基本動作および基本性能を確認した。QLCは従来の3ビット/セル(TLC)と比較し、1つのメモリセルに記憶されるビット数が1ビット増え、4ビットになることで、更なる大容量のメモリ製品が実現可能となっている。先進的な制御回路技術を64層の3次元フラッシュメモリプロセスに組み合わせることにより精度の高い制御を可能にした。
 試作品は64層積層プロセスを用いて768Gbと業界最大クラスの大容量を実現し、2017年6月上旬から開発用にSSDメーカやコントローラーメーカに提供している。 また、768Gbのチップを1パッケージ内に16段積層することにより、業界最大規模の1.5テラバイト(TB)を実現するパッケージ製品を2017年8月からサンプル出荷する予定。
 本パッケージ製品は2017年8月7日から10日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で参考展示する。

URL=https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/06/memory-20170628-1.html

 

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