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2017年6月26日

富士電機、低抵抗トレンチゲート構造SiC-MOSFETを開発

 富士電機は2017年6月26日、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発したことを発表した。2017年度中を目途にオールSiCモジュールとして製品化するとともに、同社製パワーエレクトロニクス機器に搭載し、さらなる製品競争力の強化を図る。
  なお今回の開発は、同社が2012年度より参画している「TPEC(つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション)」における、国立研究開発法人産業技術総合研究所との共同研究成果を活用している。
  トレンチゲート構造はウェハに溝を掘り垂直方向に電流経路を作るため、プレーナーゲート構造に比べてセルの幅を短くでき、同一サイズの素子に対して多くのセルを搭載することで、より多くの電流を流すことが可能となる。 トレンチゲート構造の開発のポイントは、電流のON/OFFを行う「ゲート」の結晶面(電流が流れる面)の電気抵抗をいかに下げられるとなっている。同社は独自技術により、信頼性を損ねることなく、しきい値電圧5Vで世界最高レベルの低抵抗(3.5mΩcm2)を達成。プレーナーゲート構造に比べて50%以上電気抵抗を低くすることに成功した。
  今般開発したトレンチゲート構造SiC-MOSFET素子を適用したオールSiCモジュールをインバータ(出力7.5kW、周波数20kHz)に搭載した場合、Si製(第7世代IGBTモジュール)を搭載した場合に比べて、電力損失を78%低減することが可能となっている。

URL=http://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/2017/20170626093016489.html

 

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