.

半導体・FPD業界の出版社 デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向

2017年6月23日

NXP、915MHzアプリケーション向け高性能トランジスタを発表

 蘭NXP Semiconductor社は2017年6月20日、915MHzアプリケーションに適した業界最高レベルのパワートランジスタ「MRF13750H」を発表した。同製品は750W continuous wave (CW)を供給し、競合製品と比較して性能面では50%向上させている。50VシリコンLDMOS構造をベースとしており、このトランジスタはソリッドステートRFジェネレーションを拡張し、超高パワーシステムにおいて、真空管を代替することが期待されている。また、マイクロ波発生器の設計者に使いやすいものとなっている。ダイナミックレンジは0〜750Wで、周波数シフトによりRFエネルギーをより高精度に使用することができる。 同製品は700〜1300MHzに対応する産業、科学、および医療(ISM)アプリケーション向けに設計されている。特に産業用加熱/乾燥、キュアリングや材料ウェルディング(材料溶接)などのシステムへの応用が期待されている。915MHzで750WCW、効率67%で供給できる。パッケージは3×3.8インチ(7.6×9.7cm)パレットで提供される。
 同製品は2017年12月から量産提供を開始する。

URL=http://media.nxp.com/phoenix.zhtml?c=254228&p=irol-newsArticle&ID=2281949

 

EDリサーチ
お問い合わせ・ご質問は webmaster@edresearch.co.jp
(c) 2001 ED RESEARCH Co., Ltd. All rights reserved.

デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向