.

半導体・FPD業界の出版社 デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向

2017年6月21日

ST、高効率モータ・ドライバを小型化する表面実装型の低消費電力IPMを発表

 STMicroelectronics社は2017年6月12日、小型の表面実装型インテリジェント・パワーモジュール(IPM)の5品種(STIPNS1M50T-H、STIPNS2M50T-H、STIPNS2M50-H、STGIPNS3H60T-HおよびSTGIPNS3HD60-H)追加し、SLLIMM-nanoファミリを拡充した。モータ内蔵型などスペースに制約があるモータ駆動アプリケーションに最適なこれらの製品は、IGBT出力またはMOSFET出力を選択でき、非常に低い電力定格から最大100Wまでの駆動が可能となっている。
 新しいIPMは、高い導通効率とスイッチング効率を実現しており、特にハード・スイッチング回路(最大周波数20kHz)に適している。内蔵のゲートドライバ回路は、スイッチング時の電圧および電流スロープ(dV/dt、di/dt)を制御することにより、電磁放射(EMI)を最小化する設計になっている。放熱効率の高いパッケージが、信頼性の向上とヒートシンクを使わない設計を可能にする。また、広い沿面距離(2.7mm)と空間距離(2.0mm)により、デュアル・インラインSMDの小さな実装面積内において安全な絶縁性を実現する。モジュール端子は、回路基板のレイアウトを簡略化できるように配置が最適化されている。
 STの新しいIPMは、幅広い生活家電や産業機器(小型ファン、シャッター、冷蔵庫用コンプレッサ、食洗器、排水・再循環用ポンプ、その他の低消費電力汎用モータ・ドライバなど)に対して、省スペースと、高効率、優れた信頼性と安全性、低ノイズというメリットを提供する。  また、追加の機能として、ゲート・ドライバと、500V耐圧パワーMOSFETまたは600V耐圧IGBT/フリーホイール・ダイオード・アレイの他、オペアンプとコンパレータを内蔵している。これにより、最先端の電流検知および過電流保護機能を最小限の外付け部品により実装することができる。
 スマート・シャットダウン機能は、異常状態を高速で検知でき、インターロッキングおよび低電圧ロックアウトが搭載されていると共に、ブートストラップ・ダイオードも内蔵されており、モジュールのゲート制御回路の電源設計の簡略化が可能となっている。  各製品は、1A、2A、または3Aの定格電流(25℃時)を選択することができる。5製品とも、表面実装型のフルモールド・デュアルインライン・パッケージ(NSDIP-26L)で提供される。これらの新製品は現在サンプル出荷中で、2017年第4四半期に量産を開始する予定。STIPNS1M50T-Hの価格は1000個購入時に約5米ドルとなっている。

URL=http://www.st.com/content/st_com/en/about/media-center/press-item.html/n3954.html


STMicroelectronics





 

EDリサーチ
お問い合わせ・ご質問は webmaster@edresearch.co.jp
(c) 2001 ED RESEARCH Co., Ltd. All rights reserved.

デジタル家電 通信・ネットワーク 移動体通信/携帯電話 次世代FPD 投資/工場計画 アプリケーション FPD新製品 半導体新製品 製造装置・材料 FPD動向 半導体動向