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2017年6月19日

Samsung、64層3次元NANDフラッシュメモリの量産を立ち上げ

 韓国Samsung Electronics社は2017年6月15日、同社のV-NAND(同社の3次元NAND型フラッシュメモリ)の新製品として、64層、256ギガビット(Gb)製品および同製品を利用したSSDも量産している。V-NANDの第4世代となる同製品は、2017年まつまでに同社のNAND型フラッシュメモリ生産の50%を上回る規模に拡大する計画である。  同製品は、3ビット/セルの多値セル構造を採用、転送速度はNAND型フラッシュメモリとしては最速レベルとなる1Gbpsとなっている。ページプログラム時間は500msだが、これは10nmプロセスで製造したプレーナ構造のNAND型フラッシュメモリの約4倍増、48層、256Gb型の1.5倍増となっている。生産性も20%超、エネルギー効率は30%高めている。

URL=https://news.samsung.com/global/samsung-ramps-up-64-layer-v-nand-memory-production-to-accommodate-expanding-line-up-of-high-performance-flash-storage-solutions


Samsung








 

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