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2017年6月15日

Infineon、高電流密度のディスクリートIGBTを発表

 独Infineon Technologies社は2017年6月6日、最大電流75Aでブロッキング電圧1200VのディスクリートIGBTを製品化し、製品ポートフォリオを拡大したことを発表した。
 これらの製品はIGBTチップと同等の定格電流のダイオードチップとともにTO-247PLUSパッケージに収めている。3ピンと4ピンの新しいTO-247PLUSパッケージは、ディスクリートパッケージの高電力密度化と高効率化に対して高まっている市場要求に対応している。高い電力密度が必要なブロッキング電圧1200 Vの一般的なアプリケーションには、モーター駆動回路、ソーラーエネルギーシステム、無停電電源装置(UPS)などがある。このほかのアプリケーションには、バッテリー充電システムやエネルギー蓄積システムなどもあります。
 今回の新しいTO-247PLUSパッケージは、通常のTO-247-3パッケージと比べて、2倍の定格電流が得られる。このPLUSパッケージは、標準的なTO-247パッケージのネジ穴を除去したので、リードフレームの面積が広くなり、より大きなIGBTチップを搭載することができる。リードフレームが大きいので、TO-247PLUSパッケージの熱抵抗が小さくなり、放熱能力が向上する。また、TO-247PLUSの4ピンパッケージは、ケルビンエミッタソースピンを備えていることにより、超低インダクタンスのゲート-エミッタ間制御ループを実現でき、全スイッチング損失E(ts) が20%以上減少する。TO-247PLUSの3ピンおよび4ピンのパッケージに封止した1200 VのIGBTは、システムの電力密度を高めるために使うことができる。
  さらに、並列接続して使う複数のパワーデバイスの数を減らしたり、システムの効率を高めたり、システムの熱条件を改善したりすることもできる。
 TO-247PLUS の3ピン、およびTO-247PLUSの4ピンに収めた新しい1200 VのIGBTは、量産対応可能。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2017/INFIPC201706-057.html









 

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