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2017年6月12日

imec、サブ10nmのGeゲートのデモを発表

 imecは2017年6月8日、京都で開催している2017 Symposia on VLSI Technology and Circuitsにおいて、直径10nm以下のナノワイヤと歪みGeゲートを採用したpチャネルトランジスタ、Gate-All-Around (GAA) FETの動作デモを公表した。これにより、高圧アニール(HPA)と静電制御技術により、歪みGeを採用したpチャネル FinFETとGAA FETデバイス性能の顕著な向上を実現する。
 GAA p-FETは最短ゲート長(LG=40nm)、最小のナノワイヤ径(9nm)に関する研究成果を発表している。ドレーン誘起障壁低下効果(DIBL:drain induced barrier lowering)を利用する優れた静電制御技術により、最短ゲート長を達成、30mV/Vと79mV/decのサブ・スレッショルド傾斜を実現している。

URL=https://www.imec-int.com/en/articles/imec-demonstrates-for-the-first-time-sub-10nm-germanium-gate-all-around-devices


imecGe




 

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