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2017年6月12日

imec、PMOSトランジスタで世界最小レベルのソース/ドレイン抵抗を達成

 ベルギーの研究機関であるimecは2017年6月8日、 京都で開催されている2017 Symposia on VLSI Technology and Circuitsにおいて、PMOSトランジスタのソース/ドレインのコンタクト抵抗を 10^-9(10の-9乗)Ω.cm2以下に抑えることに成功したことを発表した。今回、p-SiliconGermanium (p-SiGe)のソース/ドレインのコンタクトに、Gaイオンの浅い注入を行い、ナノ秒レベルのレーザ・アニールを行うことで実現した。
 今回の成果は、imecのほか、ベルギーKU Leuven大学、中国・上海Fudan大学、製造装置メーカのApplied Materiarls(AMAT)社と協力して行った。

URL=https://www.imec-int.com/en/articles/imec-achieves-record-low-source-drain-contact-resistivity-for-pmos-transistors


imecPROMOS




 

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