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2017年6月8日

Imec、CMOSと互換性のある強誘電体メモリ技術を開発

 Imecは2017年6月7日、NAND構成の不揮発性メモリ・アプリケーション向けに新しい強誘電体材料であるAlドープHfO2で垂直積層構造を形成したデモを発表した。同構造を利用した強誘電体メモリは、消費電力の低減、スイッチング速度の向上、優れたスケーラビリティと保持特性を実現している。
 AlドープHfO2を利用することで、CMOSと同様にプレーナー構造のトランジスタ(FeFET)、さらに垂直構造の形成が可能となっている。このトランジスタ-メモリセル層を積層することで、集積度の向上、データ保持の信頼性の向上を実現している。
 今回の開発を行ったキーパートナーとしては、米GlobalFounedries、Intel、Micron Technology、Qualcomm,、韓国Samsung Electronics、SK Hynix、ソニー・セミコンダクター・ソリューションズ、東芝、Sandisk/Western Degital、台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)、などである。

URL=https://www.imec-int.com/en/articles/imec-demonstrates-breakthrough-in-cmos-compatible-ferroelectric-memory


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