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2017年6月7日

ADI、保護機能付き150V高速ハイサイドNチャネルMSFETドライバを発表

 米Analog Devices(ADI)社は2017年6月6日、最大150Vの電源電圧で動作する、高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7000/-1」を発売したことを発表した。LTC7000はMSOP-16パッケージ、LTC7000-1は高電圧動作用のピン間隔にするために4本のピンを除去したMSOP-16 パッケージでそれぞれ供給される。3つの動作温度グレードがあり、温度拡張およびインダストリアル温度グレードは−40℃〜125℃、高温の車載グレードは−40℃〜150℃、ミリタリ・グレードは−55℃〜150℃の動作温度範囲で仕様が規定されている。1000個時の参考単価は2.75米ドルから。
 同製品は、内蔵チャージ・ポンプにより外付けNチャネルMOSFETスイッチを完全に導通させ、無期限にオン状態に保つことができる。また、強力な1Ωゲート・ドライバは、ゲート容量が大きいMOSFETを非常に短い遷移時間で駆動できるので、高周波スイッチングと静的なスイッチのどちらのアプリケーションにも最適となっている。
 LTC7000/-1は3.5V〜135V(ピーク値150V)の入力電源範囲で動作し、バイアス電圧範囲は3.5V〜15V。外付けMOSFETのドレインに直列に接続した外付け検出抵抗の両端の電圧をモニタすることにより、過電流状態を検出する。スイッチ電流が設定されたレベルを超えたことを検出すると、フォルト・フラグがアサートされ、スイッチは外付けタイミング・コンデンサで設定された期間オフする。
 また、同製品は、グランド基準の低電圧デジタル入力信号を受け取り、ドレインがグランドより150V高くなることがあるハイサイドNチャネル・パワーMOSFETを高速で駆動するように設計されている。1000pFの負荷を駆動する時の立上がり時間と立下がり時間が13nsと短いので、スイッチング損失を最小限に抑える。LTC7000はフル機能のデバイスで、LTC7000-1の機能に加えて、イネーブル、過電圧ロックアウト、調整可能な電流制限と電流モニタリングなどの機能を備えている。

URL=http://www.linear-tech.jp/images/news/pressroom/PDF/LTC7000_1_170607.pdf






 

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