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2017年6月5日

三重富士通セミコンダクターと広島大学が超低消費電力CMOS増幅器を開発

 三重富士通セミコンダクター(MIFS)と国立広島大学は2017年6月5日、共同でMIFSのDeeply Depleted Channel(DDC)技術を用い、80〜106GHzの広帯域に渡って動作する超低消費電力CMOS増幅器を開発したことを発表した。
 MIFSのDDC技術を使うと、0.5V以下の電源電圧(VDD)で動作する超低消費電力トランジスタの製造が可能になる。DDCは標準CMOSと比べ、しきい値(Vt)のばらつきが小さく、性能低下を最小限に抑えながら低いVDDで動作する。  今回、広島大学は素子特性を引き出す回路設計技術を開発し、DDCテクノロジと組み合わせることでCMOSとしては世界で初めてVDD=0.5Vで動作する80〜106GHzのミリ波帯用増幅器を開発した。また、最先端のプロセスに比べ、耐圧の高い55nmテクノロジーで低電圧動作させることにより、低消費電力と信頼性を達成することが可能となった。
 DDCテクノロジについては、現在、スイスCSEM社と共同で、同技術を応用して0.5V仕様の超低消費電力テクノロジ・プラットフォーム「C55DDC」の開発を進めている。本開発に使用したミックスドシグナルおよびRF設計対応のデザイン環境(PDK)はすでに提供可能で、スタンダードセル、SRAM/ROMといった基本ライブラリセット、ADC/DAC、PMU、BLE、Flashといった機能IPを2017年末までにリリースする予定。

URL=http://www.fujitsu.com/jp/group/mifs/resources/news/press-releases/2017/0605.html







 

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