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2017年5月30日

東芝メモリ、64層積層3Dフラッシュメモリ搭載の1024GBモジュールを発表

 東芝は2017年5月29日、64層積層・3ビット/セル(TLC)構造の3次元(3D)フラッシュメモリを搭載したNVM Express(NVMe)SSDとして、最大記憶容量1024ギガバイト(GB)の薄型片面実装タイプのクライアント向けSSD「XG5シリーズ」を立ち上げ、同日から一部のOEM向けにサンプル出荷を開始している。2017年第3四半期(7月〜9月)以降、順次出荷を拡大していく予定である。
 新製品は、当社最新の64層積層3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を搭載し、PCI EXPRESS Gen3 x4レーンで、SLC(1ビット/セル)キャッシュを採用することにより、3000MB/sのシーケンシャルリードと2100MB/sのシーケンシャルライト性能を実現している。同社前世代製品に比べて、単位消費電力あたりの読み書き性能を改善したほか、待機中の消費電力も50%以上低減した3mW以下を実現している。
 今回発表した新製品のラインアップは、M.2 2280の片面実装タイプのフォームファクタで256GB、512GB、1024GBの3種類。さらに、TCG Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付モデルもラインアップし、パフォーマンスを重視するウルトラモバイルPCから機密性が要求されるビジネス用途まで、幅広い分野に対応する。

URL=https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/05/storage-20170529-1.html










 

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