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2017年5月29日

ST、高速リカバリ・ダイオード内蔵の新MDmeshパワーMOSFETを発表

  スイスSTMicroelectronicsは2017年5月15日、スーパージャンクション型の超高耐圧パワーMOSFET「MDmeshDK5シリーズ」の新製品を発表した。高速リカバリ・ダイオードの優れた特性を活かした同製品は、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)を備えたLLC共振コンバータを含む多様な電力変換トポロジの効率を最大化する。
 新スーパージャンクション型のパワーMOSFET(定格電圧:950V〜1050V)は、通常のプレーナ型のパワーMOSFETに比べて、ダイ面積あたりのオン抵抗(R(DS)(ON)) が低く、定格電流が高いことに加え、優れたスイッチング特性を備えている。同製品は、大電力装置用コンバータにおいて、電力効率を向上させると共に、併用部品を減らして電力密度を向上させることができる。  また、その他のブリッジ型コンバータやバッテリ充電用のブーストDC-DCコンバータにも、低損失と優れたダイナミック特性というメリットを提供する。現在入手可能な高速ダイオード内蔵の超高耐圧パワーMOSFETと比べて、STのMDmesh DK5パワーMOSFETは、クラス最高の逆回復時間(trr)と最小のMOSFETゲート電荷(Qg)およびR(R(DS)(ON))を実現し、スーパージャンクション型パワーMOSFETとして最適な入出力容量特性(C(oss), C(iss))を兼ね備えている。
 新ファミリは6種類の新製品で構成され、TO-247、TO-247(ロング・リード)、Max247およびISOTOPパワー・パッケージで提供される。STWA40N95DK5、STY50N105DK5およびSTW40N95DK5は現在量産中で、単価は1000個購入時に約8.85米ドルとなっている。

URL=http://www.st.com/content/st_com/en/about/media-center/press-item.html/n3943.html










 

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