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2017年5月24日

Infineon、初のフルSiCモジュールの量産を開始

 独Infineon Technologies社は2017年5月16日、パワーエレクトロニクス機器の見本市「PCIM 2016」で発表した初のフルSiCモジュールであるEASY 1Bの量産を開始したことを発表した。さらに追加のモジュールと1200 V CoolSiC MOSFETファミリーのトポロジーを発表し、SiCテクノロジーが持つ可能性を新たなレベルへと引き上げている。
 新しい1200 V SiC MOSFETは、高度な信頼性とパフォーマンスの両方を達成するよう最適化している。これらのMOSFETのダイナミック損失は、1200V Si IGBTを1桁下回っている。最初の製品は当初、太陽光発電インバータ、無停電電源(UPS)、充電/蓄電システムなどの用途に対応する。また新しいコンフィグレーションにより、近い将来には産業用駆動装置、医療技術、あるいは鉄道用の補助電源などにおいて画期的な新しいソリューションが実現すると期待されている。 EASY 1Bは、同社独自のモジュールコンフィグレーションを特徴とし、オン抵抗は45mΩとなっている。内蔵のボディダイオードにより低損失のフリーホイール機能を得ています。EASY 1Bは駆動装置、太陽光発電、および溶接分野の用途に適している。
 PCIM 2016にて発表された最初の製品であるEASY 1Bと2つのディスクリートデバイスであるTO-247-3ピンと-4ピンは、今年中に徐々に量産に移行する。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2017/INFIPC201705-053.html










 

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