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2017年5月15日

X-FABとExagan、200mmウェーハによるGaN-on-Siliconデバイスの製造開始

 独X-FAB Foundries社とベンチャー企業であるExagan社は2017年5月10日、200mmウェーハを利用、Siウェーハ上にGaNデバイスを構築するGaN-on-Siの量産技術を発表した。X-FABのCMOSプロセス対応のドレスデン工場で、同技術による量産のデモンストレーションを行っている。今回量産したのは、GaN層とひずみ制御層を積み重ねた積層構造を採用したデバイスとなっている。同デバイスでは、高いブレークダウン電圧、低リーク電流(縦方向)、高温対応を実現している。
 Exaganは小型・高効率なGaNコンバータの開発を行っており、X-FABとは2015年から共同開発を行っている。これまでは100mmウェーハ、150mmウェーハを利用して開発を進めてきた。
 今回、量産に使用するSiウェーハは、Exaganのグルノーブル工場で、エピタキシャル成膜を行ったものとなる。このエピタキシャル・ウェーハはExaganの650V G-FETデバイスに利用されているものである。

URL=https://www.xfab.com/en/about-x-fab/news/newsdetail/article/x-fab-and-exagan-successfully-produce-first-gan-on-silicon-devices-on-200-mm-wafers//?tx_ttnews%5BbackPid%5D=98&cHash=9456203b67501a6f7aa3a11929c3c2ea







 

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