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2017年4月24日

SK Hynix、高速GDRAMを発表

 韓国SK Hynix社は2017年4月23日、2Znmプロセスを利用した8ギガビット(Gb)のGraphics DDR6 DRAM(GDDR6)を発表した。I/Oデータ速度はピン当たり16Gbpsと世界最高レベルの速度を実現している。同社では高性能グラフィクスカード向けの量産を2018年初めまでに開始する予定である。
 GDDR6はGDDR5に比べて、速度が2倍、消費電力は10%減となっている。

URL=http://www.hynix.com/jpa/pr/pressReleaseView.do?seq=2086&offset=1








 

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