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2017年4月19日

Infineon、PQFNパッケージによる新しいロジックレベルMOSFETが高い電力密度を実現

 独Infineon Technolgies社は2017年4月4日、新しいロジックレベルIR MOSFETファミリを発表した。これは60V、80V、および100Vの3種類の電圧クラスから構成されている。新しいデバイスは2mmx2mm PQFNパッケージで提供され、実装面積の厳しいワイヤレス充電、アダプタ、および通信用途に最適となっている。パッケージサイズが小さくなることにより、大きな電力密度と効率改善を得ている。同時にスペース節約、パーツ数削減、およびシステム全体のコスト削減にも貢献する。
 PQFNパッケージによる新しいIR MOSFETデバイスのRDS(on)は、競合製品のそれを11〜40%下回る。極めて低いゲート電荷(Qg)により、導通損を拡大することなくスイッチング損失を削減します。さらに出力容量(COSS)と逆リカバリー電荷(Qrr)も最適化され、FOMg(RDS(on)x Qg/gd)も改善されている。これによりIR MOSFETデバイスは、共振型ワイヤレス充電アプリケーションに必要とされる、最大6.78 MHzの高いスイッチング周波数で動作する。ロジックレベルのゲート駆動は低いゲート閾値電圧(VGS(th))を持ち、5 Vで、またマイクロコントローラーから直接駆動することが可能となっている。
 IR MOSFETは60Vと80Vがすでに提供され、100Vが現在開発中。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2017/INFPMM201704-044.html


InfineonPQFN





 

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