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2017年4月19日

Infineon、StrongIRFET MOSFETの40V品向け新パッケージを発表

独Infineon Technolgies社は2017年4月12日、StrongIRFETファミリにD2PAK 7pin+による40V MOSFETパッケージの製品を追加したことを発表した。表面実装向けのD2PAK 7pin+パッケージは、低電圧ドライブ、バッテリ駆動工具と小型電気自動車をターゲットとしており、新パッケージによるStrongIRFETの提供はすでに開始されている。
 新しいMOSFETファミリは0.65mΩの超低RDS(on)と、業界最大の電流容量を備えて高度な効率と信頼性を必要とする、高電力密度のアプリケーションにおける堅牢さと信頼性を高めている。
 新しいD2PAK 7pin+パッケージにより、すでに幅広いバリエーションを持つStrongIRFETのパッケージがさらに充実し、さまざまな設計に適した理想的なパワーデバイスをさらに自由に選択できるようになった。また互換性のあるピンアウトオプションを持ち、設計面での比類のない柔軟性を実現している。標準のD2PAK 7pinパッケージに比べ、新しいファミリーはRDS(on)値が最大15%、また接合部からPCBまでの熱抵抗値が最大39%低くなっている。
  このパッケージでは面積が最大20%拡大されたダイの搭載ができるようになっているが、パッケージとしては、基板使用面積は標準のD2PAK 7ピンパッケージと同一となっている。したがって従来のD2PAK 7pinとH2PAKを容易に置き換えることが可能となっている。
 また、ロジックレベルでのスレショルド電圧で設計されているため、マイクロコントローラーから直接MOSFETを駆動することができる。これにより、特にバッテリー駆動工具では設計上の制約要因となることの多い、基板面積の削減を実現する。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2017/INFPMM201704-046.html


InfineonMOSFET





 

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