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2017年4月12日

NXP、RFパワーの設計を迅速化する新しい65V LDMOS技術を発表

 オランダNXP Semiconductor社は2017年4月10日、最大65Vまでの電源電圧に対応する新LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor:横方向拡散金属酸化膜半導体) RFパワートランジスタ技術を発表した。この超高電圧LDMOSプロセスは、「MRFXシリーズ」という新世代製品の開発を促進することになる。
 新製品の特徴としては、 高電圧化は高出力を可能にし、統合するトランジスタ数の低減とともに、パワーアンプの簡素化とサイズ低減を実現する。また、高電圧化により、適切な出力インピーダンスを維持しながら出力電力を増加できる。これにより、特に広帯域アプリケーションで50Ωへのマッチングを簡素化し、マッチング検討時間の削減により、開発期間を大幅に短縮することができる。また、インピーダンスの利点により、現行の50V LDMOSトランジスタとのピン互換性も確保でき、RF設計の際に既存のPCB設計の再利用が可能になり、製品開発期間を短縮できる。
 高電圧化によりシステムの電流を低減し、DC電源上のストレス軽減と磁気放射の低減を実現する。さらに、NXPの65V LDMOS技術は降伏電圧が182Vで、これにより信頼性が向上し、効率的な基本設計が可能になる。
 今回発表したMRFXシリーズの初の製品は、業界で最もパワフルなクラスの連続波(CW)RFトランジスタである「MRFX1K80」。1MHzから470MHzのアプリケーション向けに65V時に1800WのCWを提供し、65:1の電圧定在波比(VSWR)への対応が可能となっている。
 MRFX1K80はレーザー生成、プラズマ・エッチング、磁気共鳴画像診断(MRI)、皮膚治療、ジアテルミー(高周波治療)のほか、粒子加速器や科学機器などの産業、科学、医療(ISM)機器をターゲットとしている。
 MRFX1K80Hはエアキャビティ・セラミック・パッケージを採用したMRFX1K80Hトランジスタは現在サンプル出荷中で、量産開始は2017年8月の予定。また、27MHzと87.5MHz〜108MHzのアプリケーション向けのリファレンス回路を提供している。

URL=http://media.nxp.com/phoenix.zhtml?c=254228&p=irol-newsArticle&ID=2260958









 

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