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2017年4月12日

ON Semiconductor、微光環境に対応したIT-EMCCDイメージセンサを発表

 米ON Semiconductor社は2017年4月12日、医療用や科学用のイメージングなど産業用の微光(Sub-Lux)アプリケーションだけでなく、高性能の監視のための商業 /軍事用のアプリケーションを対象に、インターライン転送型電子倍増式CCD (IT-EMCCD)イメージセンサの新製品として4メガピクセル(400万画素)の「KAE-04471」を発表した。新製品は、既存のIT EMCCDデバイスよりも大型の7.4μmピクセルを使用しており、集光能力を倍増し、微光の状態の画質を向上させている。また、既存の8メガピクセル「KAE08151」とピン配置とパッケージで互換性があり、カメラメーカーは、既存のカメラ設計を容易に活用して新しいデバイスを採用できるようになっている。
 また、新製品として「KAE-02152」も発表した。同製品は、既存の「KAE 02150」と同じ1080p解像度の2/3インチ光学フォーマットであるが、近赤外線(NIR)波長の感度を向上させる高度なピクセル設計が組み込まれている。これは、監視、顕微鏡、眼科医療などのアプリケーションにおいて重要な改善点となるとしている。
 また、KAE-02152は、既存のKAE-02150と完全な互換性を持っており、いずれのデバイスも熱電クーラーを内蔵したパッケージで提供されているため、カメラメーカーは冷却カメラ設計を行うために必要な作業を効率化できる。
 インターライン転送型EMCCDデバイスは、2つの確立されたイメージング技術と独自の出力構造を組み合わせることにより、新しいレベルの低ノイズ、高ダイナミックレンジのイメージングを実現している。インターライン転送型CCDは、優れた画質と高性能の電子シャッターによる均一性を備えているが、この技術は、超微光イメージングに必ずしも最適ではない。また、EMCCDイメージセンサは、微光の条件下では優れているが、従来は低解像度デバイスとしてしか入手できず、ダイナミックレンジが限られていた。これらの技術を組み合わせることにより、EMCCDの低ノイズ・アーキテクチャをマルチ・メガピクセルの解像度へ拡張することができ、また革新的な出力設計により、標準CCD (ノーマルゲイン)とEMCCD (ハイゲイン)出力の両方を1つの画像キャプチャで利用できるため、1つの画像で太陽光から星明かりまでダイナミックレンジとシーン検出を拡大する。
 現在、エンジニアリンググレードの「KAE-04471」を提供中で、量産版は2017年第2四半期に提供開始する。エンジニアリンググレードの「KAE-02152」は、標準パッケージおよび熱電クーラー内蔵パッケージの両方で提供されている。量産版は、いずれも2017年第3四半期に提供開始する。すべてのIT EMCCDデバイスは、セラミックマイクロPGAパッケージで出荷され、モノクロおよび ベイヤーカラーが用意されている

URL=http://www.onsemi.com/PowerSolutions/newsItem.do?article=3789









 

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