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2017年4月11日

SK Hynix、72層構造の3D-NAND型フラッシュメモリを発表

  SK Hynix、72層構造の3D-NAND型フラッシュメモリを発表(4/11)  韓国SK Hynix社は2017年4月10日、72層構造の256ギガビット(Gb)容量の3D-NAND型フラッシュメモリを発表した。同製品は1セル/3ビット(TLC)の多値セル構造を採用している。現在の量産中の48層構造から積層数を1.5倍に増加、30%以上生産性を高めると同時に性能を20%向上させている。
 同社は2016年4月に36層128Gb 3D-NAND型フラッシュメモリを、2016年11月には48層構造2568Gb 3D-NAND型フラッシュメモリの量産を開始している。今回の製品についても、2017年後半に大手顧客向けに提供を開始する計画である。

URL=http://www.hynix.com/jpa/pr/pressReleaseView.do?seq=2045&offset=1


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