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2017年4月5日

Infineon、高効率の電力アプリケーション向け高耐圧MOSFETを発表

独Infineon Technologies社は2017年3月28日、従来のCoolMOSテクノロジのポートフォリオから、新しく 600 V CoolMOS P7と600 V CoolMOS C7 Gold(G7)シリーズを拡充したことを発表した。これらの製品ファミリーは600 Vのブレークダウン電圧にて動作するよう設計され、スーパージャンクションMOSFETの性能をさらに高める。それぞれがターゲットとするアプリケーションにおいて他に例を見ない電力密度を達成する。
 新しく登場したP7は、開発、設計工程での非常に優れた使いやすさと、ベンチマークとなる効率を最適な価格性能比と共に提供する。このデバイスは充電器、アダプター、照明、TV、PC用電源、太陽光発電、サーバー、通信、および電気自動車の充電などのアプリケーションをターゲットとし、100Wから15kWまでの電力クラスに対応する。600 V CoolMOS P7はさまざまなトポロジーにおいて効率を最大1.5%高め、また競合製品の熱特性と比較して最大4.2℃優れている。
 また、同製品は表面実装(SMD)とスルーホール実装の両方において37mΩから600mΩまでの広いRDS(on)範囲を持つ600 V CoolMOS P7は、幅広いアプリケーションと電圧範囲に適している。また2 kV(HBM)の優れたESD耐性は、製造時の静電気からこのデバイスを保護し、製造品質をさらに高めた。LLC回路内でハードコミュテーションイベントが発生した際にも、頑丈なボディダイオードがこのデバイスを保護する。
 600 V CoolMOS C7 Goldは、より低いRDS(on)を持ち、ゲートチャージQgを最小限に抑え、出力静電容量(Coss)に保存されるエネルギーを減らし、またTO-Leadlessパッケージによりケルビンソースにも対応する。これによりPFCまたはLLC回路において損失が最小限に抑えられ、パフォーマンスを0.6%高め、PFC回路での全負荷効率を改善した。1nHの低い寄生ソースインダクタンスも、効率の改善に貢献している。
 TO-Leadlessパッケージでは熱特性の改善によってさらに大きな電流を使う設計が可能になり、SMDテクノロジーはマウント工程のコストを引き下げる。さらに600V CoolMOS C7 また、同製品のRDS(on)は、28 mΩから150 mΩまでクラス最高の低オン抵抗の製品を提供する。従来のD2PAKと比較し、このTOLLパッケージでは基板占有面積で30%、高さが50%、および体積では60%削減されている。これらの特徴が組み合わさることにより、サーバー、通信、産業、および太陽光発電アプリケーションにおいて最大限の効率を達成し、またベンチマークとなる電力密度を実現するための完璧な選択肢となっている。
 600 V CoolMOS P7と600 V CoolMOS C7 Goldのいずれのシリーズも量産出荷中。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/market-news/2017/INFPMM201703-043.html







 

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