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2017年3月9日

imec、重イオン、中性子への高耐性GaN-on-Siパワーデバイスを発表

 ベルギーの研究機関であるimecは2017年3月7日、200mm径のGaN-on-Siベースのeモード・パワーデバイスを発表した。今回の発表成果は、pGaNゲート・アーキテクチャを採用、重イオン(Xenon)や中性子の照射に対して高い放射線耐性を実現している。これにより、高い性能と信頼性を両立させており、電力コンバージョンに応用した場合には電力損失を大幅に転換させることもできる。さらに、今回の発表では、生産再現性も高められており、今後研究開発のパートナーを含む企業への技術移転が期待されている。耐久性の実証実験はベルギーの宇宙システム開発企業であるThales Alenia Space社と共同で行った。

URL=http://www.imec-int.com/en/articles/imec-s-200mm-gan-on-si-e-mode-power-devices-withstand-heavy-ion-and-neutron-irradiation


  






 

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