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2017年3月7日

imec、最先端リソグラフィ・ソリューションを発表

 ベルギーの研究機関imecは2017年2月27日、EUVリソフグラフィを含むN5相当のメタル層のパターニング・ソリューションを発表した。imecと研究パートナーは、ファンドリが提供するN5要件と互換性のあるロジックIC設計で使用される42nmピッチのメタル配線(M1)層と32nmのメタル配線(M2)層のパターンニング・ソリューションとして使用されることが期待されている。
 今回発表したソリューションは、これから求められるLSIのサイズ、性能、消費電力、コストなどを実現するために、EUVリソグラフィを含むシナリオを示している。その中には、デザインルール、マスク、フォトレジスト、エッチング、計測技術、プロセス派生技術など、EUVリソグラフィを量産ラインに組み込むための必要とされる最適化された周辺技術が含まれている。  imecでは32nm M2層形成のために、コストを犠牲とする代わりに、複雑な自己整合型四重パターニング(self-aligned quadruple patterning:SAQP)と液浸トリプル・ブロック・パターンニングを組み合わせた、ASMLのEUVスキャナ「NXE:3300B」を含む2つのアプローチを明らかにしている。
 主体となるアプローチは、シングルEUVブロック・ステップによりSAQPを完成するというもので、フルに液浸処理で行う場合と比較して20%ウェーハコストを低減することを可能にする。
 もう一つのアプローチは、SAQPとトリプル・ブロッキングに代わって、EUVリソグラフィによるシングル・パターニング・ステップで処理を行う、というものである。  また、ソリューションの一部として、imecとASMLは2D近接効果補正フルチップ・モデルを開発している。このためには、EUVブロック・マスクの設計と製造を行っている。マスク・ペリクルとして、250W露光メンブレンを利用している。

URL=http://www.imec-int.com/en/articles/imec-presents-patterning-solutions-for-n5-equivalent-metal-layers








 

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