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2017年3月1日

三菱電機、電源の低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体発売

 三菱電機は2017年3月1日、エアコンや太陽光発電などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiCショットキ・バリア・ダイオード(SiC-SBD)の「BD20060T」、「BD20060S」を同日から順次発売することを発表した。 新製品では、SiCを使用することで、スイッチング損失が大幅に削減し、電力損失を約21%低減(同社製品比)している。また、高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献している。
 pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS構造を採用、JBS構造の採用により、高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与している。

URL=http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/0301-b.html









 

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