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2017年2月23日

大日本印刷、ナノインプリント用テンプレートの量産複製装置を導入

 大日本印刷は2017年2月23日、次世代の3D NAND型フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するため、ナノインプリント用テンプレートの複製装置を2017年3月に導入し、半導体メーカーへ回路線幅10nm台のテンプレートの供給を開始することを発表した。
 ナノインプリントリソグラフィ技術は、テンプレートから直接回路パターンを転写して複製するため、高価な光学系の設備を使用せず比較的安価な露光装置での製造が可能となる。また、製造工程も簡略化できるため、従来のフォトリソグラフィ技術による製造方法に比べ約1/3の大幅なコストダウンが期待される画期的な製造技術として注目されている。
 大日本印刷は2003年から半導体向けナノインプリント用テンプレートの開発を行っており、2009年以降は東芝やキヤノンと共同でナノインプリントリソグラフィのプロセスの開発を進めてきた。また、2016年からは、次世代半導体に向けて回路線幅10nm台の半導体向けナノインプリント用テンプレートの生産体制の構築に向けて、高解像度高速マルチビームEB描画やドライエッチングなどの関連プロセス装置も含めて、総額40億円の設備増強を進めている。
 今回、大日本印刷は、その最終段階として、3D構造のNAND型フラッシュメモリの需要増加と低コスト化に対応するために、キヤノン製のナノインプリント用テンプレート複製装置を導入し、東芝への回路線幅10nm台の半導体向けの量産供給ラインを構築して供給を本格的に開始する。この量産複製装置の導入により、10nm台のナノインプリント用テンプレートを安定的にマスターテンプレートから複製、提供することで、半導体メーカーの製造プロセスの簡略化や大幅なコストダウンを支援していく。
 今後大日本印刷は、3次元NAND型フラッシュメモリ向けナノインプリント用テンプレートの供給を開始し、2019年には年間で約100億円の売上げを目指す。今後も、ナノインプリント用テンプレートの需要増と半導体のさらなる微細化とコスト削減に対応するべく、開発や生産体制を強化していく。

URL=http://www.dnp.co.jp/news/10132452_2482.html









 

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