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2017年1月4日

SK Hynix、韓国・清州市に新工場の建設を発表

 韓国SK Hynix社は2016年12月22日、韓国の忠清北道・清州市のテクノポリスにメモリ工場を新設する計画を発表した。今後さらに需要の増加が予想されるNAND型フラッシュメモリの生産能力を強化する。2017年1月に建屋、クリーンルームに着工、2019年6月に完成を予定している。建設費は2兆2000億ウォン。装置導入時期は市場環境を見ながら決定する。
 今回発表した工場は2015年8月(M14工場完成式)において発表していた中長期投資計画の一環である。同計画は、46兆ウォンを投じて仁川、清州にM14を含めて3工場を建設するというもの。さらに同社では清州市の既存工場M14の強化も進めており、3D NAND型フラッシュメモリのための生産設備を上部階に導入、2017年から稼働を開始する。
 DRAMの生産能力についても中国・無錫工場に追加投資を行い、競争力と生産性の維持を図る。クリーンルーム・スペースを拡張、生産性を維持するため、2017年6月から2019年4月にかけて、9500億ウォンを投じる。

URL=http://www.hynix.com/jpa/pr/pressReleaseView.do?seq=1966&offset=1








 

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