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2016年11月8日

TIAパワーエレクトロニクス研究拠点で150mm SiCウェーハラインが稼働開始

 国立研究開発法人 産業技術総合研究所(産総研)と住友電気工業(住友電工)は2016年11月6日、TIAパワーエレクトロニクス研究拠点に平成27年11月より構築を進めていた、SiCパワー半導体デバイスの量産開発を可能とする新ラインが完成し、稼働を開始したことを発表した。このラインは、両者が相互に連携し竣工した。基礎研究から一歩進め、世界最先端・最速のSiCパワー半導体の量産技術、信頼性評価技術、品質評価技術の開発を可能とするものとなっている。
 同ラインは産総研つくば西事業所7群(スーパークリーンルーム研究棟)に設けられている。クリーンルーム面積は1500m2、付帯設備などが1500m2となっている。

URL=http://www.aist.go.jp/aist_j/news/pr20161104.html








 

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