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2016年10月4日

TI、初のDDRメモリ向けの完全統合電源ソリューションを発表

米Texas Instruments(TI)社は2016年10月3は、車載や産業用アプリケーションに使用されるDDR2(Double Data Rate)、DDR3やDDR3Lメモリ・サブシステム向けに、完全統合電源管理ソリューションと新しいDC/DC降圧型コンバータ「TPS54116-Q1」を発表した。同製品はインフォテインメント、ADAS(先進運転支援システム)やクラスタなどの車載ア プリケーション向けに設計されたものだが、通信機器、テスト・計測機器やファクトリ・オートメーション機器に使用されるDDRメモリの電源にも使用できる。
 新製品は、2.95V〜6Vの入力電圧範囲、出力電流4Aの同期整流降圧型コンバータであり、1A(ピーク)のシンク/ソースのDDRメモリ用終端機能やバッファ付きリファレンスも内蔵しており、ディスクリート構成と比較して、システム・サイズを最大50%縮小できる。
  「TPS54116-Q1」は、ローサイド(低圧側)とハイサイド(高圧側)の両方の電力用MOSFETと、1Aのシンク/ソースDDR VTT終端レギュレータを内蔵、4Aの連続出力電流を提供するほか、最大2.5MHzのスイッチング周波数を提供することで、インダクタのサイズを縮小でき、ソリューション・サイズの縮小に役立つ。ノイズに敏感なアプリケーション向けに、スイッチング周波数を中波放送よりも高い周波数に設定可能なほか、外部クロックへの同期が可能となっている。この同期機能によって、出力負荷範囲全域で固定スイッチング周波数動作を提供している。
 「TPS54116-Q1」は量産出荷中。パッケージは放熱特性を強化した4mm×4mm×0.75mmの24ピンWQFNで、1000個受注時の単価(参考価格)は2.50米ドル。

URL=http://newscenter.ti.com/2016-10-03-Introducing-industrys-first-fully-integrated-DDR-memory-power-solution








 

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