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2016年9月26日

ON Semiconductor、低照度向け産業用新イメージセンサを発表

 米ON Semiconductor社は2016年9月20日、インターライン転送型電子倍増式の電荷結合素子(IT-EMCCD)技術を利用した新製品を投入し、産業市場における低照度イメージングセンサの新製品として800万画素の「KAE 08151」を発表した。同製品は、同社のIT EMCCD技術を用いた2番目のデバイスであり、既存の1080p 解像度「KAE 02150」イメージセンサと同じサブエレクトロン ノイズ・フロアおよびイメージングの多用途性を備えている。
 KAE 08151は、プロ仕様の顕微鏡のイメージング・パスと一致する22mm対角線(4/3型光学フォーマット)により、サブルクスからブライトライトに至るイメージング範囲で使用される高解像度の顕微鏡検査および科学イメージング・アプリケーションを、直接ターゲットとしています。また、新しいパッケージング・オプションは、熱電クーラー(TEC)をパッケージ・デザインに直接組み込んだ、このファミリのいずれのデバイスでも使用できる。クーラーを統合したことで、これらデバイスの性能を最適化する冷却カメラの開発が効率化される。
  IT EMCCDデバイスは、2つの確立されたイメージング技術を独自のアウトプット構造で組み合わせることにより新しいクラスの低ノイズ、高ダイナミックレンジのイメージングを可能にする。インターライン転送型CCDは、超高効率電子シャッタにより高画質と均一性を実現しているが、この技術は全体的なノイズ・フロアが出力されるため、必ずしも超低照度メージングに適していない。逆に、EMCCDイメージセンサは、低ノイズイメージングには優れていますが、従来は限定されたダイナミックレンジの低解像度デバイスでのみ利用できた。この2つの技術を組み合わせることにより、EMCCDの低ノイズアーキテクチャをマルチメガピクセル解像度のイメージセンサへ拡張できるようになった。
  また、革新的なアウトプットデザインにより、標準CCD(低ゲイン)とEMCCD(高ゲイン)のアウトプットを1回の画像取得により両方利用できるため、1つの画像で太陽光から星の輝きまで、シーンの検知を広げることができる。  「KAE 08151」は、CPGA-モノクロおよびベイヤーカラー設定ができるデバイスを155パッケージで現在サンプル出荷中で、TECを組み込んだサンプルは2017年第1四半期の出荷を予定している。

URL=http://www.onsemi.com/PowerSolutions/newsItem.do?article=3634








 

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