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2016年9月26日

Infineon、効率と熱特性を高めた800VのMOSFET新シリーズを発表

 独Infineon Technologies社は2016年9月8日、800VのMOSFET「CoolMOS P7」シリーズを発表した。スーパージャンクション技術をベースにしたこの800 VのMOSFETシリーズは、並はずれた使いやすさと、最高クラスの性能を兼ね備えている。新ファミリは、低電力スイッチング電源(SMPS)の用途に最適で、性能、設計しやすさ、価格対性能比が要求される市場に向けた製品となっている。アダプタ、LED照明、オーディオ、産業用途、補助電源などのアプリケーションで標準的に使われるフライバック構成に特に焦点を当てている。
 800 VのCoolMOS P7シリーズは、効率を最大0.6%高められる。これにより、標準的なフライバックのアプリケーションでテストしたCoolMOS C3や競合他社の部品に比べて、MOSFETの温度が2℃?8℃低くなる。チップの特性を最適化することにより、EossとQg、CissとCossのそれぞれの性能指数において従来製品と比較し50%の低減が可能となった。この特性改善により、スイッチング損失が低減され、DPAK製品の最小オン抵抗を下げることが可能になり、より高い電力密度の設計を実現できり。全体として、BOMコストを節約し、アセンブリ作業を軽減することに貢献する。
 この新ファミリは集積されたツェナーダイオードは、ESDへの耐性を大幅に向上させるので、ESD関連による生産歩留まりの低下を防ぐことができる。このMOSFETは、業界をリードする3 Vのゲートしきい値電圧VGS(th)、および、VGS(th) のばらつきが最小のわずか±0.5 Vに収めたので、駆動や設計が容易になっている。この組み合わせにより、駆動電圧を下げ、スイッチング損失を低減できる。さらに、線形領域での意図しない動作を回避することに役立つ。
 800VのCoolMOS P7 MOSFETのファミリは、ターゲットアプリケーションのニーズに完全に対応するために、12種類のRDS(on)と6種類のパッケージを用意している。RDS(on)が280mΩ、450mΩ、1400mΩ、4500mΩの製品は現在、出荷可能となっている。

URL=http://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2016/INFPMM201609-080.html








 

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