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2011年10月17日

産総研、PCRAMが常温で巨大な磁気抵抗効果を示すことを発見

 独立行政法人 産業技術総合研究所(産総研)ナノエレクトロニクス研究部門富永 淳二 上席研究員 兼 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター連携研究体付らは2011年10月14日、ゲルマニウム−テルル合金とアンチモン−テルル合金の薄膜を配向軸を揃えて積層した超格子型相変化膜が、室温から150℃程度の温度範囲で2000%を越える磁気抵抗効果を示すことを発見したと発表した。この巨大磁気抵抗効果はトポロジカル誘電性と呼ばれる物理現象に起因するという。また、この超格子型相変化膜は可視光領域(波長400nmから800nm)の円偏光に対する反射率が磁場の方向に応答して変化する磁気光学効果をもつことも発見した。
 PCRAMによる常温巨大磁気抵抗効果の発見は将来的に次世代不揮発性メモリとして開発が進められているPCRAMとMRAMを融合あるいは統合して、多値機能を持った一つのメモリデバイスとして全く新しい超高密度メモリが実現できると期待される。また、電界効果による高速スイッチ動作も可能と思われ不揮発性ロジックとしての応用も期待されるとしている。

URL=http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2011/pr20111014/pr20111014.html


                     
                             

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