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光リソグラフィ技術U −計測と制御−

筆者:東木達彦(東芝セミコンダクター社)

発行日:2003年6月10日
体裁:B5変型判 76ページ

定価:3,150円(税込)

ISBN:4-901790-28-5


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『光リソグラフィにおける計測と制御技術を紹介』

光リソグラフィ技術U −計測と制御− 表紙前書「フォーカスレポート2 光リソグラフィ技術−実践的基礎と課題−」では微細加工技術の基本的な事項と今後の課題に関して述べた。リソグラフィにおける寸法精度や重ね合わせ精度などの高精度化は、計測・制御技術に支えられている。今回は、前書の続編としてリソグラフィにおける計測と制御技術を紹介する。先ずリソグラフィの規格を決めるために、デバイス特性とリソグラフィの関係、誤差因子を特定するバジェット化の手法、寸法・合わせずれ計測技術、プロセス制御を始めとするe-manufacturingの現状と課題に関して述べる。


関連書籍
光リソグラフィ技術T −実践的基礎と課題 −
光リソグラフィ技術V −実践的基礎と応用−

<目 次>

はじめに

 第1章 デバイス特性とリソグラフィ

  1.1 はじめに
  
1.2 トランジスタの分類と動作原理
   1.2.1 バイポーラ・トランジスタ
 
   
1.2.2 電界効果トランジスタ(MOSFET) 
   
1.2.3 デバイス特性とリソグラフィ技術
  
1.3 チップ内ばらつきを考慮した遅延時間の解析
  
1.4 レイアウト設計基準とリソグラフィ規格
  1.5 まとめ

 第2章 リソグラフィに要求される規格とバジェット化
  2.1 はじめに
  
2.2 ITRSロードマップ
  2.3 測定の検証

   2.3.1 正確さ(Accuracy)と精密さ(Precision)
 
   2.3.2 P/T比とP/TV比
  
2.4 リソグラフィ性能とバジェット化
  
2.5 構成要素別バジェットと工程管理で分類するバジェット
  
2.6 寸法バジェット
 
 2.7 オーバーレイ・バジェット
  2.8 おわりに

 第3章 寸法計測
  3.1 はじめに

  3.2 EB測長SEMの基本構成

  3.3 低加速電圧EB測長SEMの特徴

  3.4 EB測長SEM精度向上のための処理技術

   3.4.1 パターン認識技術
 
   3.4.2 焦点位置検出技術
 
   3.4.3 エッジ検出技術
 
   3.4.4 画像処理技術
  
3.5 LER
  3.6 パターン深さ方向の形状計測

  3.7 電気的寸法計測手法

   3.7.1 電気的寸法計測手法の必要性
 
   3.7.2 計測原理

  3.8 まとめ

 第4章 ドーズ・フォーカス・バジェットとモニタ技術
  4.1 はじめに

  4.2 ドーズ・バジェット
  
4.3 ドーズ・モニタ
  4.4 フォーカス・バジェット
  
4.5 フォーカス・モニタ
  
4.6 まとめ 

 第5章 合わせずれ計測

  5.1 はじめに
  5.2 合わせずれ計測技術

   5.2.1 プロセス・フロー
 
   5.2.2 合わせずれ検査装置の構成と誤差要因
 
   5.2.3 TISとWIS
 
   5.2.4 計測技術に対する検査
  
5.3 重ね合わせ誤差解析モデル
  5.4 まとめ

 第6章 リソグラフィe-Manufacturing技術
  6.1 はじめに

  6.2 半導体製造 e-Manufacturingの構成
  
6.3 プロセス制御
   6.3.1 SPC(Statistical Process Control)
 
   6.3.2 FDC(Fault Detection and Classification)
 
   6.3.3 APC(Advanced Process Control)

  6.4 リソグラフィAPC

  6.5 今後の課題
  
6.6 まとめ

 おわりに


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フォーカスレポート
Focus Report シリーズ


2003年6月10日発行

光リソグラフィ技術U
−計測と制御−


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